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事例紹介パワーデバイス関連 事例

事例11 | IGBTチップ故障解析

目的

Ic-Vgリーク不良IGBTチップについて故障解析を行う。

評価方法

電気的特性確認
電気的特性確認

Ic-Vg特性にて、良品チップより、リーク電流が高いことが確認される
裏面EMS解析
発光なし、良品チップ 発光箇所、リークチップ

裏面EMS解析にて、セル領域内にスポット的に発光箇所が確認される
発光箇所の断面解析
発光箇所の断面解析

EMS発光箇所の断面解析にて、
・バリアメタル(Ti系)及びVia(W)の未形成
・層間膜の薄厚化
・エミッタコンタクト部のSiにえぐれ形状が確認される
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