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事例紹介パワーデバイス関連 事例

事例3 | 過渡熱抵抗測定

測定条件
・測定サンプル:デュアルIGBTモジュール製品
・測定器:DVFN810ZB(キャッツ社製)
・測定モード:ΔVceモード(IGBT1素子発熱)
・装置設定:VCE19V、IE7A、IM90mA、GATELIMIT18V、PowerTime1sec、DT500us
・水冷コールドプレート:130×130×30mm

 
熱抵抗値算出
VCE温度特性
VCE温度特性
VCE温度特性グラフ
DVFN810ZB

熱抵抗を明らかにするはジャンクション温度を把握しなければなりませんが、直接測定ができません。しかし、ダイオード順方向電圧(VF)の温度依存性によりジャンクション温度が分かります。 VF は温度の一次関数で表され、この傾きが Kファクタ となります。


熱抵抗測定結果
風速(m/s)
0
サンプルNo.
チップ[℃]
θ Jc[℃/W]
IGBT
68.182
0.226
※電力印加後1sec後を測定
Kファクタを用いてチップ温度[℃]とθjcを算出します。
θjc=(チップ[℃]-表面温度)/(ヒーター電圧*ヒーター電流)

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