事例４ ｜ LEDデバイスの解析技術

パッケージ構造の断面解析(FE-SEM観察 → EDX分析)

③蛍光体のEDX元素マッピング	②断面SEM像	②ワイヤ接合部の拡大SEM像

光学像

①Ｘ線像

非破壊解析 ①X線透過観察 → ワイヤボンディング破断確認

イオンビーム断面加工 　②SEM観察 　　→ 接合部状態確認 　③EDX分析 　　→ 蛍光体の成分および 　　分布状態確認

素子発光層の断面構造解析(FIBサンプリング → STEM-EDX分析)

				AlAsとGaAsが 約90nmピッチで 15層積層されて いることを確認
発光層のSTEM像	発光層のSTEM-EDX元素マッピング

基板AgめっきPad部変色原因調査(XPS分析、TOF-SIMS分析)

変色Padの 光学像
	XPS：(ワイド) Ag以外にC，O，Si，S，Clを検出 　　　(ナロー) Sは主に硫化銀として存在

TOF-SIMS：Agは硫化銀・塩化銀・アミン塩として存在し、有機物としてシロキサン成分を確認