事例６ ｜ 大気非暴露XPSを用いた負極の構造解析

大気非暴露XPSの特徴

		●表層数nmにおける定性分析、 　状態分析が可能。 ●Arスパッタリングを併用した 　深さ方向分析も可能。
Quantera Ⅱ（ULVAC）	トランスファーベッセル

負極充放電後のXPS状態分析、デプスプロファイル

最表面の状態分析結果	デプスプロファイル(充電状態)
SEI層内(深さ100nm)の状態分析結果	デプスプロファイル(放電状態)

まとめ

○充電状態の最表面はLiF、Li₂CO₃で形成されており、SEI層はLiO，Li₂CO₃を主体とする。
　また活物質はLi-Cが富裕である。
○放電状態の最表面はLi₂CO₃富裕である。SEI層は充電状態と同様にLiO、Li₂CO₃を主体とするが、
　Li₂CO₃が富裕である。活物質は充電状態とは異なり、グラファイトに由来するC-Cを主体とする。