種々の手法における拡散層評価技術│事例紹介│分析評価事業│メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社（MSEC）│三菱電機グループ

事例紹介ウェハ関連　事例

種々の手法における拡散層評価技術
目的・用途に応じた拡散層の評価が実施できます！

アノード部のSIMSおよびSRプロファイル

アノード終端部のSCM像(上) / SMM像(下)

SIMS測定よりドーパントプロファイルを、SR測定よりキャリア濃度プロファイルを得ることができます。
デバイスの微小領域(数～数十ｕm)においては、SCM/SMM観察にて拡散層を評価できます。

試料・目的に応じた拡散層評価が可能です！

SEM像

SCM像

SMM像

SCM観察よりPN極性情報を、SMM観察よりキャリア濃度情報を含む拡散層評価ができます。

SCMとSMMを組合せることで、構造をより明確に観察できます！

【試料作製法】
　埋込み→ 研磨 → エッチング→ SEM観察

デバイスの構造模式図