SCM、SMM、MFMを用いた評価解析技術│事例紹介│分析評価事業│メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社（MSEC）│三菱電機グループ

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SCM、SMM、MFMを用いた評価解析技術

事例紹介ウェハ関連　事例

事例６｜ SCM、SMM、MFMを用いた評価解析技術

SCM、SMMを用いたSiウエハ拡散層評価

SCM：	変調電圧を印加しているプローブを試料表面に接触させながら走査し、プローブ直下のキャパシタンスの変化をイメージングする。PN極性とともに拡散層の形状を確認できる。
SMM：	プローブを介して入射させたマイクロ波の反射波を測定し、入射波と反射波の振幅や位相の差から試料表面のインピーダンスを算出し、イメージングする。キャリア濃度の情報とともに拡散層の形状を確認できる為、観察面内での濃度分布を推定できる。

Planar-MOSFET・セル部断面のSCM･SMM測定結果(左：SCM像　右：SMM像)

SCM像とSMM像を組み合わせることで、より詳細な拡散層構造の特定が可能となる。

MFMを用いた磁気テープの磁界分布観察

MFM：Magnetic Force Microscope

磁性膜でコートされたプローブを試料から浮かせた状態で走査すると、試料表面の磁場によって、
プローブは相互作用（引力や斥力）を受ける。この相互作用をマッピングする。

磁気テープのMFM測定結果(左：形状像　右：MFM像)

観察面内における磁力の相対的な強度分布をイメージングできる。

SCM、SMMを用いたSiウエハ拡散層評価（PDF形式：97KB） MFMを用いた磁気テープの磁界分布観察（PDF形式：255KB）

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