SR測定による拡散、EPI/SUB評価│事例紹介│分析評価事業│メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社（MSEC）│三菱電機グループ

事例紹介ウェハ関連　事例

拡散層の評価やウェハ仕様（EPI/SUB層）の確認が可能。

ダイオード素子のアノード拡散、及びEPI/SUB層の評価としてSR測定を行う。


斜研磨したSiウエハにて、深さ方向に2深針をコンタクトさせ、広がり抵抗を測定する。得られた広がり抵抗を解析して、ウエハの深さ方向の比抵抗、キャリア濃度プロファイルを計算する。	【得られる情報】 ●深さ方向キャリア濃度プロファイル ●深さ方向比抵抗プロファイル　⇒PN接合深さや、N+層とN-層の境界　　の深さ、各層のキャリア濃度などの　　情報が得られる。