事例１ ｜ デバイス構造解析

MOS系デバイスの断面TEM観察

サンプリング箇所		FIBによる マイクロサンプリング		TEMによる断面観察
●FIBマイクロサンプリングにて、 　特定箇所の切り出しが可能。 ●薄膜加工からのTEM観察により、 　数十～数百万倍での高倍率観察 　が可能。 ●数nmの高分解能にて、元素分析 　が可能。
		TEM透過像		高分解能像 （ゲート酸化膜、400万倍）

MOS系デバイス断面TEM/EDX元素分析

EDX元素マッピングエリア	特性X線マッピング像(Si)	特性X線マッピング像(O)	特性X線マッピング像(Ge)

まとめ

○TEM観察により、ゲート配線ポリシリコンのグレイン構造などを鮮明に観察可能。
○高分解能観察により、ゲート酸化膜の正確な膜厚を確認可能。
○高分解能EDX元素分析より、数nmレベルの薄膜ゲート酸化膜周辺の元素分布、
　SiGe端部のGe濃化層が確認可能。