事例１ ｜ 無電解Ni-Pめっきの密着性不良解析

目的

プリント基板の表面処理として用いられる無電解Ni-P/無電解Au/電解Auめっきの密着性評価として、テープ剥離テストを行ったところ、 めっきの剥離が認められた。めっき剥離界面の状態及び剥離要因を特定した。

分析方法

1. めっき剥離界面の特定

AESによるめっき剥離部の表面分析
FIBによるめっき残存部の断面観察

図1 テープ剥離テストの概要	図2 めっき剥離部のFESEM像
図3 AES深さ方向分析（Point-a）	図4 FIB断面観察結果（Line-b）

2. めっき液に含まれる有機物の同定

GC/MSによる有機成分の検出
¹H-NMRによる有機成分の構造特定

図5 GC/MS，1H-NMRによるめっき液中の有機成分同定

まとめ

めっき剥離品の断面構造は電解Au/空孔を伴うアモルファス層/無電解Ni-Pめっきとなっており、めっきの剥離は電解Au/アモルファス層の界面で生じたことが判った。
アモルファス層は高濃度のCを含むAu/Ni置換反応層であり、めっき液中の有機添加剤とは異なるN系有機物がめっき皮膜中に共析すると異常反応層（ブラックバンド）を形成し、密着性に多大な影響を与えることが判った。