装置２ ｜ オージェ電子分光法

原理

試料表面に電子を照射し、試料の極表面から放出する電子(オージェ電子)の運動エネルギーと電子の量を測定する。

装置概要

「日本電子ＨＰより引用」

分析可能材料

金属・半導体材料、薄膜材料

サンプル制限

縦x横：5mm x 8mm以下、厚み：5mm以下

特徴

○空間分解能：10nmにて分析可能。
○中和銃と試料傾斜法により絶縁物試料(一部)の分析が可能。
○イオンスパッタリングにより深さ方向分析が可能。
○深さ方向分析での深さ分解能の向上が可能。
○広域マップ分析が可能。【最大走査範囲：20 x 20mm】
○雰囲気遮断システム機能を搭載。

アプリケーション

スペクトル、デプスプロファイル、ラインプロファイル、広域マップ分析、
オージェ像・二次電子像観察

分析事例

金属表面のシミ・変色分析
金属薄膜の分析
金属多層膜の元素分布

分析の際に必要な情報

サンプルの構造・組成・プロセス上使用されている薬剤名
Ref.(比較対象)となるサンプルの情報・着目元素、成分等

スペクトル分析　はんだ接合部　金属間化合物分析

	100nmφ程度の微小化合物の分析が可能
	Point1	Point2	Point3

二次電子像とオージェ像　はんだ接合部　元素マッピング

二次電子像

Snのオージェ像

Cuのオージェ像

Agのオージェ像

深さ方向　分析多層金属膜の深さ方法分析