パワー半導体デバイス

家電、モーションコントロール、再生可能エネルギー、電源、電力、鉄道、自動車などのパワーエレクトロニクス機器の省エネに貢献するパワーモジュール。DIPIPM、IGBTモジュール、IPMなどの多種多様な製品ラインアップで、地球環境におけるイノベーションに貢献します。

SiC^※パワー半導体デバイス

Siと比べ飛躍的な電力損失の低減や高速スイッチング動作、高温度動作などが可能となるSiCパワーデバイスは、家電、産業機器、鉄道、自動車などのあらゆるパワーエレクトロニクス機器の大幅な省エネ化を実現し、脱炭素社会の実現と豊かな生活の両立に貢献します。

SiC：Silicon Carbide（炭化ケイ素）、シリコンと炭素を1:1で結合した化合物

HVIC^※

パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号により、直接ゲートを駆動する高耐圧ICです。電源電圧低下保護、エラー出力機能などの各種保護機能を内蔵することで機器の信頼性向上が可能です。

HVIC：High Voltage IC

光ファイバー通信用光デバイス

第5世代移動通信システム（5G）基地局や、クラウド化を支える大規模データセンター等の各種光ファイバー通信機器に最適な製品ラインアップで、高速・大容量化、長距離伝送化や機器の小型化に貢献します。

GaN^※高周波デバイス

Siに比べて高効率・高出力・広帯域が期待できるGaNをトランジスタに用いたGaN高周波デバイスは、第5世代移動通信システム（5G）基地局ネットワークや衛星通信システム（SATCOM）地球局などの通信速度の高速化、情報伝送量の大容量化、電力増幅器の小型化に貢献します。

GaN：Gallium Nitride（窒化ガリウム）