断面イオンミリング装置 | メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社

装置原理その他

IM[イオンミリング] : Ion Milling

サンプル上方に遮蔽版を設置し、Ar+イオンビームを試料に照射する。
スパッタエッチング作用にて遮蔽板から突出した試料を加工し、断面を作成する。

試料を遮蔽板からわずかに突出⇒突出部をイオンビームにより加工し、断面を作成する

特徴

○ 機械加工による破損やひび割れ等のダメージがない
○ FIBよりも広範囲で加工可能（加工範囲：最大6mm幅×3mm深さ）
○ クライオシステムにより熱に脆弱な材料を加工可能（温度下限：-150℃）
○ 大気非暴露システムにより空気や水分に弱い材料を加工可能

分析の際に必要な情報

・サンプル構造・材料組成・物性
・加工位置周辺の座標情報

試料サイズ

・縦×横×厚：20mm×10mm×5mm

加工可能材料

・金属・半導体材料
・セラミック・ガラス・プラスチック・紙・ゴム
・上記の混在した複合材料
・二次電池材料等

アプリケーション

・広域断面加工
・クライオ断面加工
・大気非暴露断面加工

広域断面加工例　～市販品メモリーチップの断面加工～

反射電子像

広域（最大6mm×3mm）のイオンミリング加工が可能

クライオ断面加工例　～PEセパレータのクライオ断面加工～

二次電子像（傾斜）

クライオシステムを用いて、熱に弱い樹脂材料を溶融させずに加工可能

大気非暴露断面加工例　～充放電済みグラファイト負極の大気非暴露断面加工～

二次電子像

大気非暴露システムを用いて、空気や水分に脆弱な材料も変質させずに加工可能

断面イオンミリング装置（PDF形式：859KB）