装置３ ｜ 発光解析装置

EMS原理

電圧印加によりチップを動作状態にして異常箇所で発生する発光を検出し、光学像と重ね合わせることで異常部を特定する。

IR-OBIRCH原理

電圧印加によりチップを動作状態にし、配線上に赤外レーザー(λ：1.3μm)を走査させたときの抵抗変化から、異常箇所をサブミクロンオーダーの精度で位置特定する。

装置概要

○ EMS、IR-OBIRCHいずれも～1μmφのスポットで異常箇所を特定可能。
○ 裏面測定：裏面測定ユニットによりチップ裏面からの測定が可能。
○ 高圧測定：最大；3000[V]－4[mA] まで印加可能。
○ 最大4端子の同時プローブが可能。(印加は同時最大3ch)
○ レーザーマーキングを用いて異常箇所周辺部をマーキングすることにより物理解析の精度が向上。

・MOSFET、Di、IGBT、IC等　チップ内異常箇所の特定
・アバランシェ時の発光現象測定

・電気特性
・測定試料の構造
・Ref.(比較対象)となる試料