このページの本文へ

ここから本文

分析評価事業

分析評価事業
分析評価事業 トップページ
装置原理
事例紹介
ご依頼の流れ
お問い合わせ
img
装置原理構造解析

装置5 | 集束イオン/電子ビーム加工観察装置(マイクロサンプリング)

FIB: Focused Ion Beam

原理

Gaイオンビームを細く絞り、試料に照射することで加工、成膜、観察が可能。
更にマイクロサンプリングシステムによるTEM・STEM用薄膜試料の作製が可能。


サンプル制限

360°回転可能試料台
直径:18mmφ厚み:12mm

大型試料台
30mm□厚み:8mm
X軸稼動範囲:中央±3mm
Y軸稼動範囲:中央±10mm
回転角度:0°±5°


加工可能材料

金属・半導体材料・セラミック・ガラス・高分子材料など


装置仕様

加工電圧:2~40KV
像分解能:6nm以下
最大ビーム電流:60nA以上


特徴

○マイクロサンプリングによるピンポイント薄膜試料作製が可能。
○日立SEM・TEM・STEMとのホルダーリンケージ。
○ニードルホルダー使用で側面360°からのFIB加工、STEM観察が可能。
○大電流(60nA以上)イオンビームによる、短時間で大面積の加工が可能。
○低加速イオンビームによる低ダメージ薄膜試料作製が可能。


マイクロサンプリングの流れ

マイクロサンプリングの流れ

ニードルホルダー

ニードルホルダー


Get ADOBE READER
img

ページトップへ戻る