SiCデバイスの解析技術│事例紹介│分析評価事業｜メルコセミコンダクタエンジニアリング株式会社（MSEC）│三菱電機グループ

事例紹介対応解析技術

構造解析から故障解析まで幅広いニーズにお応えします！

様々な断面観察、分析手法を用いてSiCデバイスの構造を明らかにする事が可能

①電気特性試験

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②試料加工（エッチング・裏面研磨）

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③故障位置特定

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④物理解析（表面/断面観察・元素分析）

裏面OBIRCH測定(模式図)

①電気特性試験	③故障位置特定(OBIRCH)
④物理解析(STEM)

EMS/OBIRCHで特定された故障位置の物理解析を行い、故障の状況を明らかすることが可能

SiCデバイスの解析技術（PDF形式：744KB）